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Bhupal Nobles' University, Udaipur Convocation | भूपाल नोबल्स विश्वविद्यालय, उदयपुर दीक्षांत समारोह

भूपाल नोबल्स विश्वविद्यालय दीक्षांत समारोह महाराणा प्रताप स्टेशन रोड, सेवाश्रम सर्कल, उदयपुर। भूपाल नोबल्स विश्वविद्यालय उदयपुर द्वारा वर्ष 2018 से 2024 तक की स्नातक एवं स्नातकोत्तर परीक्षा में उत्तीर्ण एवं विद्यावाचस्पति (Ph.D.) उपाधिधारियों के लिए दीक्षान्त समारोह 27 मार्च 2025 गुरूवार को प्रातः 10:30 बजे आयोजित करने का निश्चित हुआ है। दीक्षान्त समारोह में 2020 से 2025 तक की विद्यावाचस्पति की उपाधियों तथा स्नातक एवं स्नातकोत्तर परीक्षाओं में वर्ष 2024 तक प्रथम स्थान प्राप्त करने वाले छात्रों को उपाधि एवं स्वर्ण पदक प्रदान किए जायेंगे। अतः जो उपाधिधारी उक्त समारोह में उपाधि प्राप्त करने के इच्छुक हों, वे समारोह में उपस्थित होने की लिखित सूचना के साथ स्नातक एवं स्नातकोत्तर प्रथम वरीयता प्राप्त छात्रों हेतु, पंजीकरण शुल्क ₹500 व उपाधि शुल्क ₹5000 (कुल ₹5500) एवं विद्यावाचस्पति (Ph.D.), शोधार्थी पंजीकरण शुल्क ₹500 व उपाधि शुल्क ₹5000 (कुल ₹5500) नकद अथवा डिमाण्ड ड्राफ्ट भूपाल नोबल्स विश्वविद्यालय, उदयपुर के नाम बनाकर कुलसचिव, भूपाल नोबल्स विश्वविद्यालय, उदयपुर को दिनांक 17.03.2025 तक ...
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Breakdown and resistance of diode | Electronics | Semiconductor diode

Breakdown and resistance of diode

Breakdown of a diode 

  • On applying reverse bias to the diode, two types of breakdown occurs, which are responsible to the sudden increase of current in the reverse bias condition.

Avalanche breakdown

  • In this mechanism, the minority charge carriers gain enough kinetic energy from the applied reverse voltage to collide with the valence electrons of the atom and liberate them.
  • In this process the covalent bond breaks and create a large number of electron-hole pairs.
  • The new charge carriers so produced generate the additional electron-hole pairs.
  • In this way the number of free electrons and holes increases continuously.
  • This phenomenon is known as avalanche multiplication and it produces a sharp increase in the reverse current.
  • The magnitude of avalanche breakdown voltage can be increased by increasing the temperature.

Zener breakdown

  • If the junctions are heavily doped and have a very narrow depletion region, then the breakdown occurs is known as Zener breakdown.
  • Since in this case there exist a high electric field (E = V/d), across the junction.
  • This electric field is so strong to break the covalent bond and generate the electron-hole pairs.
  • On further increasing the Zener voltage, the large number of carriers generate, which increase the reverse current suddenly.
  • This breakdown is a field emission phenomena.
  • On increasing the temperature the Zener breakdown voltage can be decreased.

Resistance of a diode 

 

Static or dc resistance 

  • When only dc current flows through the diode, then the resistance offered by it is static or dc resistance.
  • It is the ratio of the dc voltage across the diode to the dc current flowing through it.
  • Rdc = V / I
  • In forward bias the static resistance of diode is RF and in reverse bias RR.
  • RR >> RF
  • For Ge, RR : RF = 4000 : 1.

Dynamic or ac resistance

  • When only ac current or a small ac current along with dc current flows through the diode, then the resistance offered by it is dynamic or ac resistance.
  • It is reciprocal of the slope of the current-voltage characteristic of the diode.
  • Rac = ΔV / ΔI
  • When the diode is sufficiently forward biased, then at any temperature T

  • Here k = Boltzmann constant, and e = charge of electron.
  • For Ge, η = 1, and at T = 300 K
  • Rac = 26 / I
To know more about breakdown and resistance of diode please click on https://youtu.be/T39lWWPfLFo

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Comments

  1. Smith KaylorOctober 30, 2022 at 12:54 AM

    In hardware, a LED circuit or LED driver is an electrical circuit used to power a light-producing diode (LED). The circuit should give adequate current to light the LED at the necessary splendor, yet should restrict the current to forestall harming the LED. If you want to know more, Please check out here - official site

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